一种生长带状硅芯的导模板
技术领域
本实用新型涉及一种生长带状硅芯的导模板，用于多晶硅生产拉制带状硅芯。
背景技术
相比于传统的多晶还原炉硅芯，带状硅芯在直径和截面积相同的情况下，使用的硅原料相对较少，降低了硅芯的原料使用量和成本。由于直径和截面积加大，带状硅芯的外表面积也加大，有利于增加成绩速率和降低能耗。
在多晶硅的生产中，硅是半导体，具有温度越高电阻越低的负阻效应，用区熔法拉制的硅芯作为热载体在还原炉内进行CVD生长多晶硅，生产的多晶硅质量明显提高。随着线切割技术的日趋成熟，线切方硅芯应运而生，用多晶硅棒进行线切割加工，一次可以切除一百多根方硅芯，生产效率大幅提升。目前多晶硅生产采用的热载体全部用圆硅芯和方硅芯。
作为多晶硅生产过程中的沉积载体，表面积对沉积速率和能耗起至关重要的作用，不管是圆硅芯还是方硅芯，直径或截面积越大，沉积速度就越快，高压击穿时间就越短，生产的能耗相对也会降低，但基于成本考虑，圆硅芯或方硅芯的截面积增大，原料相应增加，成本就会增加。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供了一种生长带状硅芯的导模板，在生长过程中直接实现圆带状、方带状或多边形带状的薄壁硅带。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种生长带状硅芯的导模板，包括导模板本体，所述导模板本体上表面设有V型凹槽，所述导模板本体底部设有与V型凹槽贯通的细孔。
优选的，所述细孔的直径为0.1-5mm。
优选的，所述V型凹槽的V型开口为25-90°。
优选的，所述V型凹槽的深度为0.1-5mm。
优选的，所述导模板本体上表面还设置有连接机构，所述连接机构连接升降传动装置。
优选的，所述导模板本体的材质为碳化硅镀层石墨或氮化硅。
优选的，所述V型凹槽至少一个，均布在导模板本体的上表面。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型通过导模板上表面的V型凹槽与导模板底部贯穿通道均布的细孔，通过毛细作用使得熔化的硅熔体进入细孔向上运动，达到导模板上表面的V型凹槽，通过设置合理的细孔直径和V型凹槽角度，使得熔化硅熔体稳定漫出凹槽，然后通过籽晶熔接后提升进而拉出带状硅芯，实现带状硅芯的控制，带状硅芯生长稳定且生产效率高，原料和成本大大减少。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的使用效果图。
其中：导模板本体1；V型凹槽2；细孔3；硅熔体4；带状硅芯5。
具体实施方式
参见图1-图2，本实用新型涉及一种生长带状硅芯的导模板，一种生长带状硅芯的导模板，包括导模板本体1，所述导模板本体1上表面设有V型凹槽2，所述导模板本体1底部设有与V型凹槽2贯通的细孔3。
所述细孔3的直径为0.1-5mm。使得硅熔体4能稳定通过细孔3，确保毛细作用的实现。
所述V型凹槽2的V型开口为25-90°。使得硅熔体4进入V型凹槽2后，在毛细作用和表面张力作用下，形成稳定的熔体体积。
所述V型凹槽2的深度为0.1-5mm。
所述导模板本体1上表面还设置有连接机构，所述连接机构连接升降传动装置。使导模板本体1在需要的范围内升降。
所述导模板本体1的材质为碳化硅镀层石墨或氮化硅，确保导模板本体1不与硅浸润，使硅熔体4依次经细孔、V型槽后形成球状熔融液带，促进带状硅芯5的稳定生长。
所述V型凹槽2至少一个，均布在导模板本体1的上表面。
工作原理：
通过毛细作用使得熔化的硅熔体4进入细孔3向上运动，到达V型凹槽2，通过设置合理的细孔3直径和V型凹槽2角度，使得熔化硅熔体4稳定漫出V型凹槽2，然后通过籽晶熔接后提升进而拉出带状硅芯5，实现带状硅芯5的控制。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
