一种晶体生长坩埚
技术领域
本实用新型涉及一种晶体生长坩埚。
背景技术
铌酸锂(LiNbO3,简称LN)晶体生长一般采用提拉法生长。在单晶炉膛中间放置生长坩埚,坩埚内装有铌酸锂原料,盖上炉盖,升温将铌酸锂原料熔化,再将溶体温度降至凝固点,在溶体液面上方徐徐降下一颗旋转着的铌酸锂籽晶,直至接触到液面,继续降低溶体温度同时慢慢提拉(0.5-5mm/hr)铌酸锂籽晶,溶体原料不断地在籽晶上结晶长大,一段时间后,可生长出大块单晶体。由于温场限制以及考虑晶体质量,一般情况下不让坩埚中所有的溶体原料全部结晶,剩留一部分熔体原料,快速提升籽晶杆,将大块单晶体与熔体脱离开,结束晶体生长过程,开始缓慢降低单晶炉的温度至常温。
由于生长铌酸锂单晶用铂坩埚,为了减少资金占用比较大的问题,尽量采用薄壁坩埚。但在单晶炉降温过程,过薄的坩埚会受到熔体剩料无规则结晶的挤压而形变,从而导致下一炉温场改变,甚至无法生长合格晶体。
实用新型内容
本实用新型其目的就在于提供一种晶体生长坩埚,解决了现有坩埚在单晶炉降温过程中,过薄的坩埚会受到熔体剩料无规则结晶的挤压而形变,从而导致下一炉温场改变,甚至无法生长合格晶体的问题。
为实现上述目的而采取的技术方案是,一种晶体生长坩埚,包括外层坩埚,所述外层坩埚内同心设置有一个或多个内层坩埚,所述外层坩埚包括坩埚壁和坩埚底,所述内层坩埚为圆筒形或波浪圆筒形结构,所述内层坩埚的外侧均匀设有多个定位卡,内层坩埚焊接于坩埚底上端。
有益效果
与现有技术相比本实用新型具有以下优点。
本实用新型的优点是,解决了现有坩埚在单晶炉降温过程中,过薄的坩埚会受到熔体剩料无规则结晶的挤压而形变,从而导致下一炉温场改变,甚至无法生长合格晶体的问题,具有节约资金占用,且外层坩埚变形小,使用寿命长的特点。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的结构俯视图;
图3为本实用新型中内层坩埚为2个的结构俯视图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进行详细说明。
一种晶体生长坩埚,包括外层坩埚1,如图1-3所示,所述外层坩埚1内同心设置有一个或多个内层坩埚2,所述外层坩埚1包括坩埚壁11和坩埚底12,所述内层坩埚2为圆筒形或波浪圆筒形结构,所述内层坩埚2的外侧均匀设有多个定位卡3,内层坩埚2焊接于坩埚底12上端。
所述内层坩埚2的高度小于外层坩埚1的高度,以外层坩埚1高度的1/10~1/4为佳。
本实用新型中,包括外层坩埚1、以及一个或多个内层坩埚2,外层坩埚1和内层坩埚2均采用铂材质,外层坩埚1包括坩埚壁11和坩埚底12,外层坩埚1内同心设置内层坩埚2,内层坩埚2置于外层坩埚1的坩埚底12上,内层坩埚2为圆筒形或波浪圆筒形结构,内层坩埚2的高度小于外层坩埚1的高度,以外层坩埚1高度的1/10~1/4为佳,内层坩埚2可以焊接于坩埚底12上,内层坩埚2的圆筒外沿设置有多个定位卡3。