一种新型高导散热和隔热一体化复合材料
技术领域
本实用新型涉及散热材料技术领域，尤指一种新型高导散热和隔热一体化复合材料。
背景技术
电子产品中普遍存在着散热问题，随着较早前采用导热性良好的金属材料解决散热问题，但是电子产品的快速发展，导致导热性良好的金属材料已无法满足散热需求，而石墨烯材料的出现，开始解决电子产品的散热问题，石墨烯具有非常好的导热性能、强度、柔韧、导电、导热、光学特性。
专利文献为CN203537732U提供了一种石墨烯散热膜，包括：含有石墨烯的散热层和复合在所述含有石墨烯的散热层上的离型纸层。所述离型纸层对于含有石墨烯的散热层具有支撑作用，由于离型纸的大小尺寸可控，因此与其设置在一起的含石墨烯的散热层也尺寸可控。其次，离型纸层对于含有石墨烯的散热层具有保护作用，避免了含有石墨烯的散热层边缘破损。再次，由于离型纸具有一定的柔性，因此形成的石墨烯散热膜可以卷曲储存。使用时，玻璃离型纸层，将含石墨烯的散热层贴合于电子器件上即可，使用方便，适用范围广。
上述的石墨烯散热膜缺乏隔热结构的设置，虽然电子产品通过应用石墨烯材料，其导热性能得到大幅度的提升，但是石墨烯导热后的热量容易传递至其余电子元件，导致其余电子元件的温度升高，不利于使用。
发明内容
为解决上述问题，本实用新型提供一种新型高导散热和隔热一体化复合材料，其主要目的是设置一种具有隔热功能和散热功能的复合材料，在应用于电子产品中，有效减少电子产品产生的热量，并与其余电子元件隔开，避免热量传递至其余电子元件。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种新型高导散热和隔热一体化复合材料，包括PE膜、散热层以及隔热层，上层为所述PE膜，中层为所述散热层，下层为所述隔热层。通过设置将PE膜、散热层和隔热层成型为一体的复合材料，散热层有效将热量传导排出，隔热层有效将隔绝热量传递至其余电子元件。
进一步地，所述散热层为石墨烯镍铜混合层，石墨烯镍铜混合层，具有高导散热效果。
进一步地，所述隔热层为二氧化硅TPU树脂混合层，二氧化硅TPU树脂混合层具有隔热效果。
具体地，所述石墨烯镍铜混合层包括石墨烯粉体和镍铜合金粉体。
具体地，所述石墨烯粉体与所述镍铜合金粉体按1：15比例混合。
具体地，所述二氧化硅TPU树脂混合层包括二氧化硅粉体和TPU树脂溶剂。
具体地，所述二氧化硅粉体与所述TPU树脂溶剂按3：7比例混合。
进一步地，所述PE膜的厚度为0.05mm～0.1mm。
进一步地，所述隔热层的厚度为0.01mm～5mm。
本实用新型的有益效果在于：传统应用在电子产品的散热材料，单一采用了石墨烯的导热功能，在导热的过程中，容易将热量传递至其余电子元件，导致其余电子元件的工作温度升高，本实用新型通过设置PE膜、散热层和隔热层一体的复合材料，由散热层将电子产品产生的热量排出，同时由隔热层隔绝热量向其余电子元件传递，保证散热过程热量的有效排出。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
附图标号说明：1.PE膜；2.散热层；3.隔热层。
具体实施方式
请参阅图1所示，为本实用新型实现的一种新型高导散热和隔热一体化复合材料，包括PE膜1、散热层2以及隔热层3，上层为所述PE膜1，中层为所述散热层2，下层为所述隔热层3。
所述散热层2为石墨烯镍铜混合层，所述隔热层3为二氧化硅TPU树脂混合层，所述石墨烯镍铜混合层包括石墨烯粉体和镍铜合金粉体，所述石墨烯粉体与所述镍铜合金粉体按1：15比例混合，具有良好的散热性能；所述二氧化硅TPU树脂混合层包括二氧化硅粉体和TPU树脂溶剂，所述二氧化硅粉体与所述TPU树脂溶剂按3：7比例混合，具有良好的隔热性能，所述PE膜的厚度为0.05mm～0.1mm，所述隔热层的厚度为0.01mm～5mm。
本实用新型在生产的过程中：步骤1：先将石墨烯粉体和镍铜合金粉体按1：15比例在高速搅拌机充分搅拌均匀。步骤2：将搅拌均匀的石墨烯粉体和镍铜合金粉体喷涂在PE膜1上，再在压延机用100T～120T压力进行压延成型。步骤3：用二氧化硅粉体和TPU树脂溶剂按3：7比例在研磨机上均匀搅拌研磨。步骤4：用涂布机在石墨烯镍铜混合层进行涂布处理，再在涂布机烘箱烘烤，温度设定为50℃～100℃，每分钟10米～15的速度涂布，涂布的厚度为0.01mm～5mm。步骤5：将制备的材料在复卷机检查成品，经处理按一定米数复卷包装出货。通过上述操作过程制备的复合材料，具有散热功能和隔热功能，有效解决电子产品的散热和隔热问题，传统的散热材料只具备单一散热功能，导致在散热的过程中，容易将热量传递至其余电子元件，导致其余电子元件温度升高，不利于使用，本实用新型通过增加隔热层3，在散热的过程中，隔绝散热层2与其余电子元件，阻绝热量向其余电子元件传递。
以上实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
