一种抗炎症结构
技术领域
本实用新型涉及生物医学工程技术领域，特别是涉及一种抗炎症结构。
背景技术
用于输液导管、血液净化、透析、人工器官等方向的生物材料具有重要的临床应用价值。生物材料在长期或临时与生物组织接触时，必须充分满足与生物环境的相容性，即生物材料接触生物组织时，生物体不发生任何毒性、炎症等生物反应。目前，生物材料与生物组织接触时，或多或少都会引起组织炎症，更严重的还会引起排斥反应，进而限制了生物材料的应用。因此，提供一种具有优异生物相容性，能够抑制炎症产生的生物材料，对于生物材料的应用具有重要意义。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种抗炎症结构，包括高分子基底，高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，微纳米锥形的外周面为粗糙面。该抗炎症结构应用于生物组织时，微纳米锥形可以与生物组织之间产生接触诱导作用，抑制生物组织炎症产生，具有优异的抗炎症效果，同时，该抗炎症结构的微纳米锥形阵列结构增大抗炎症结构的表面积，进而增大与生物组织之间的接触面积和摩擦，使得两者之间的界面更加稳定，使其具有优异的生物相容性。
第一方面，本实用新型提供了一种抗炎症结构，包括高分子基底，所述高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，所述微纳米锥形的外周面为粗糙面。
在本实用新型中，所述微纳米锥形阵列结构为高分子基底自身的一部分，即高分子基底与微纳米锥形阵列结构为一体结构。所述高分子基底与其上的微纳米锥形结构可以是一体成型结构，也可以为沉积形成。
可选的，所述高分子基底的材质为壳聚糖、海藻酸钠、聚乳酸、聚乙二醇、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、聚乙烯基亚胺、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对二甲苯、光刻胶、光敏树脂、聚偏氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮或聚酯纤维。进一步的，所述高分子基底的材质为聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对二甲苯或光刻胶。更进一步的，所述光刻胶为正胶或负胶，具体可以但不限于为SU8光刻胶或AZ光刻胶。也就是说，高分子基底为生物相容性基底。在本实用新型中，所述高分子基底的厚度和尺寸不限，可以但不限于为片状、膜状、块状等，根据实际应用需要进行选择。
在本实用新型中，抗炎症结构可以但不限于为微纳米级尺寸，有利于其应用。
可选的，所述微纳米锥形的底部直径为10nm-30μm。进一步的，所述微纳米锥形的底部直径为200nm-28μm。更进一步的，所述微纳米锥形的底部直径为 1μm-24μm。具体的，微纳米锥形的底部直径可以但不限于为700nm、5μm、10μm、 18μm、25μm或40μm。
可选的，所述微纳米锥形的高度为50nm-50μm。进一步的，所述微纳米锥形的高度为300μm-45μm。更进一步的，所述微纳米锥形的高度为3μm-40μm。具体的，微纳米锥形的高度可以但不限于为900nm、3μm、8μm、13μm、21μm、34μm 或42μm。
可选的，所述微纳米锥形之间的间距为50nm-100μm。进一步的，所述微纳米锥形之间的间距为500nm-85μm。更进一步的，所述微纳米锥形之间的间距为 2μm-80μm。具体的，微纳米锥形之间的间距可以但不限于为900nm、6μm、15μm、 30μm、50μm或68μm。
在本实用新型中，高分子基底上的微纳米锥形结构有利于在应用时与生物组织之间产生接触诱导，进而起到抗炎作用；由于微纳米锥形特有的锥形结构起到抑制炎症产生的效果。
可选的，所述微纳米锥形的外周面具有微纳米结构，以形成所述粗糙面。进一步的，所述微纳米结构尺寸为1nm-5μm。更进一步的，所述微纳米结构尺寸为1.5nm-4μm。具体地，多个微纳米结构均匀排布于所述微纳米锥形的外周面上，多个微纳米结构之间形成凹陷，使得微纳米锥形外周面的粗糙度增加，从而有利于微纳米锥形与组织之间产生接触诱导作用，抑制炎症产生。
在本实用新型中，当所述高分子基底的材质为非生物相容性材质时，所述抗炎症结构还包括生物相容性层，所述生物相容性层完全覆盖所述微纳米锥形的外周面，且完全覆盖所述高分子基底的所述一侧表面上未设置所述微纳米锥形的区域。
可选的，所述生物相容性层为高分子材料层或金属层。在本实用新型中，生物相容性层可以是单层结构，也可以多层结构。
进一步的，所述高分子材料层的材质为壳聚糖、海藻酸钠、琼脂糖、明胶、白蛋白、多肽、纤维素、聚乳酸、聚乙醇酸、聚乙二醇、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、聚酰亚胺、聚乙烯基亚胺、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚己内酯、聚对二甲苯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、光刻胶、光敏树脂、聚乙烯吡咯烷酮、聚多巴胺、聚乙烯醇缩丁醛、环氧树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚乳酸-羟基乙酸共聚物或聚酯纤维。更进一步的，所述高分子材料层的材质为壳聚糖、海藻酸钠、聚乳酸、聚乙二醇或聚乙烯基亚胺。
进一步的，所述金属层为铂层、金层、铂铱合金层、氮化钛层、氧化铱层或铟锡氧化物层。
可选的，所述生物相容性层的厚度为1nm-300nm。进一步的，所述生物相容性层的厚度为10nm-280nm。更进一步的，所述生物相容性层的厚度为 20nm-250nm。
在本实用新型中，所述生物相容性层也具有微纳米尺寸的微纳米锥形形貌，与高分子基底的形貌一致。
在本实用新型中，抗炎症结构的制备方法，可以但不限于为：提供高分子基底，采用胶体晶体刻蚀、嵌段共聚物刻蚀、激光直写、双光子聚合、3D打印和模板法中的至少一种方法，使所述高分子基底的一侧表面形成微纳米锥形阵列结构，得到抗炎症结构，其中，所述微纳米锥形的外周面为粗糙面。
在本实用新型汇总，抗炎症结构可以用于植入式和可穿戴抗炎症器件，使得器件具有抗炎效果，有利于抑制生物组织之间的炎症产生。
本实用新型提供的抗炎症结构，其高分子基底表面具有微纳米锥形阵列结构，增大与生物组织之间的接触面积，且锥形结构表面粗糙，增加与生物组织之间的摩擦，使得两者之间的界面稳定，具有优异的生物相容性；同时，该抗炎症结构可以与组织之间产生接触诱导作用，抑制生物组织炎症产生，可以用于生物材料中以提高生物材料的抗炎症效果。
本实用新型的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本实用新型实施例的实施而获知。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图1是本实用新型一实施例提供的抗炎症结构结构示意图。
图2是本实用新型另一实施例提供的抗炎症结构结构示意图。
图3是本实用新型实施例1制得的抗炎症结构的电镜图。
图4是本实用新型实施例2制得的抗炎症结构的电镜图。
图5是本实用新型实施例3制得的抗炎症结构的电镜图。
图6是本实用新型实施例4制得的抗炎症结构的电镜图。
图7是本实用新型实施例9制得的抗炎症结构的电镜图。
图8是本实用新型效果实施例中实验组的结果示意图。
图9是本实用新型效果实施例中对照组的结果示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，为本申请一实施例提供的抗炎症结构的结构示意图，包括了高分子基底10，高分子基底10的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，微纳米锥形的外周面为粗糙面。
在本实用新型中，微纳米锥形阵列结构为高分子基底10自身的一部分，即高分子基底10与微纳米锥形阵列结构为一体结构。高分子基底10与其上的微纳米锥形结构可以是一体成型结构，也可以为沉积形成。
在本实用新型一实施例中，高分子基底10的材质为壳聚糖、海藻酸钠、聚乳酸、聚乙二醇、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、聚乙烯基亚胺、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对二甲苯、光刻胶、光敏树脂、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮或聚酯纤维。进一步的，所述高分子基底的材质为聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对二甲苯或光刻胶。
在本实用新型一实施例中，微纳米锥形的底部直径为10nm-30μm，高度为 50nm-50μm，微纳米锥形之间的间距为50nm-100μm。
在本实用新型一实施例中，微纳米锥形的外周面具有微纳米结构，以形成所述粗糙面，微纳米结构尺寸为1nm-5μm。
请参阅图2，为本申请另一实施例提供的抗炎症结构的结构示意图，包括了高分子基底10和生物相容性层20，生物相容性层20完全覆盖微纳米锥形的外周面，且完全覆盖高分子基底10的一侧表面上未设置微纳米锥形的区域。
在本实用新型一实施例中，生物相容性层20为高分子材料层或金属层。
在本实用新型一实施例中，生物相容性层20的厚度为1nm-300nm。
实施例1
一种抗炎症结构，包括高分子基底，所述高分子基底的材质为聚乳酸，所述高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为4.79μm，底部直径为2.52μm，间距为2.48μm。
该抗炎症结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)取聚乳酸基底，对其表面进行清洗，以除去表面灰尘和杂质，氮气吹干待用；
(2)对聚乳酸基底表面进行氧等离子体处理使其表面亲水，然后通过界面组装法在其表面组装一层直径为3.5μm的聚苯乙烯微球阵列；
(3)以聚苯乙烯微球阵列为模板，采用等离子刻蚀机对组装有聚苯乙烯微球阵列的聚乳酸基底进行刻蚀，刻蚀过程中聚苯乙烯微球尺寸逐渐减小，在其下方的聚乳酸不断被刻蚀，最终使聚乳酸基底上形成度为4.79μm，底部直径为2.5μm，间距为1.0μm微纳米锥形阵列结构30，如图3所示，可以明显看到微纳米锥形阵列结构。
实施例2
本实施例2抗炎症结构与实施例1的区别仅在于，锥形高度为6.62μm，底部直径为3.2μm，间距为1.8μm。
本实施例抗炎症结构的制备方法基本同实施例1，不同之处仅在于，本实施例采用直径为5μm的聚苯乙烯微球作为模板，具体的等离子体刻蚀的参数不同。
本实施例制备得到的抗炎症结构的电镜图如图4所示。
实施例3
一种抗炎症结构，包括高分子基底，所述高分子基底的材质为聚酰亚胺，所述高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为5.15μm，底部直径为2.4μm，间距为2.6μm。
该抗炎症结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)取一单晶硅片，对其表面进行清洗，以除去表面有机及无机杂质；具体清洗步骤为：依次在丙酮、无水乙醇和超纯水中超声清洗，氮气吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附带的水蒸气；
(2)对硅片进行氧等离子体处理使其表面亲水，使用旋涂仪在基底表面均匀地旋涂一层聚酰亚胺，100℃加热3min之后再在300℃烘箱中加热0.5h使其交联，通过调节转速得到厚度为8μm的聚酰亚胺薄膜；
(3)对聚酰亚胺薄膜进行氧等离子体处理使其表面亲水，然后通过界面组装法在其上面组装一层六方紧密堆积的直径为5μm的聚苯乙烯微球阵列；
(4)以聚苯乙烯微球为模板，采用等离子刻蚀机对组装有聚苯乙烯微球阵列的聚酰亚胺薄膜进行刻蚀，刻蚀过程中聚苯乙烯微球尺寸逐渐减小，在其下方的聚酰亚胺不断被刻蚀，最终使聚酰亚胺薄膜上形成高度为5.15μm，底部直径为 2.4μm，间距为2.6μm的锥形阵列。本实施例制备得到的抗炎症结构的电镜图如图 5所示。
实施例4
本实施例4的抗炎症结构与实施例3的区别仅在于，锥形高度为4.8μm，底部直径为3.7μm，间距为0.3μm。
本实施例抗炎症结构的制备方法基本同实施例3，不同之处仅在于，本实施例采用直径为4μm的聚苯乙烯微球作为模板，具体的等离子体刻蚀的参数不同。
本实施例制备得到的抗炎症结构的电镜图如图6所示。
实施例5
一种抗炎症结构，包括高分子基底，所述高分子基底的材质为聚二甲基硅氧烷，所述高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为30μm，底部直径为25μm，间距为50μm。
该抗炎症结构通过模板复制方法制备得到，包括以下步骤：
(1)首先通过光刻与刻蚀相结合的方法制备硅的微纳米锥阵列模板，锥形高度为30μm，底部直径为25μm，间距为50μm，然后进行氟化处理；
(2)按10:1的比例配置聚二甲基硅氧烷溶液，剧烈搅拌，抽真空至没有气泡，然后将其浇注到处理过的硅基底上，60℃加热3h，然后将其从硅模板上揭下便可以得到聚二甲基硅氧烷的反锥形阵列结构；
(3)对聚二甲基硅氧烷的反锥形阵列进行疏水化处理，然后将聚二甲基硅氧烷溶液浇注到聚二甲基硅氧烷的反锥形阵列结构上，60℃加热3h，然后将其从模板上揭下便可以得到高度为30μm，底部直径为25μm，间距为50μm的聚二甲基硅氧烷抗炎症结构。
实施例6
一种抗炎症结构，包括高分子基底，所述高分子基底的材质为海藻酸钠，所述高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为45μm，底部直径为30μm，间距为80μm。
该抗炎症结构通过3D打印方法制备得到，包括以下步骤：
(1)用软件创建所要构建的微纳米锥形阵列结构模型；
(2)配置海藻酸钠和钙离子溶液；
(3)通过3D打印将连续的薄型层面堆叠起来便可以得到高度为45μm底部直径为30μm，间距为80μm的海藻酸钠抗炎症结构。
实施例7
一种抗炎症结构，包括高分子基底和生物相容性层，高分子基底的材质为聚丙烯酸，生物相容性层的材质为壳聚糖，高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，生物相容性层完全覆盖微纳米锥形的外周面，且完全覆盖高分子基底的一侧表面上未设置微纳米锥形的区域，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为 8.58μm，底部直径为6.6μm，间距为3.4μm。
该抗炎症结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)取一单晶硅片，对其表面进行清洗，以除去表面有机及无机杂质；具体清洗步骤为：依次在丙酮、无水乙醇和超纯水中超声清洗，氮气吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附带的水蒸气；
(2)对硅片进行氧等离子体处理使其表面亲水，使用旋涂仪在基底表面均匀地旋涂一层聚丙烯酸，100℃加热10min，通过调节转速得到厚度为10μm的聚丙烯酸薄膜；
(3)对聚丙烯酸薄膜进行氧等离子体处理使其表面亲水，然后通过界面组装法在其上面组装一层六方紧密堆积的直径为10μm的聚苯乙烯微球阵列；
(4)以聚苯乙烯微球为模板，采用等离子刻蚀机对组装有聚苯乙烯微球阵列的聚酰亚胺薄膜进行刻蚀，刻蚀过程中聚苯乙烯微球尺寸逐渐减小，在其下方的聚丙烯酸不断被刻蚀，最终在聚丙烯酸基底上形成微纳米锥形阵列结构；
(5)通过静电作用在形成有微纳米锥形阵列结构的聚丙烯酸表面(负电) 上吸附一层壳聚糖(正电)，从而得到高度为8.58μm，底部直径为6.6μm，间距为3.4μm的抗炎症结构。
实施例8
本实施例8的抗炎症结构与实施例7的区别仅在于，所述生物相容性层的材质为聚乳酸，通过旋涂的方法吸附到微纳米锥形表面，锥形高度为4.8μm，底部直径为3.7μm，间距为0.3μm。
本实施例抗炎症结构制备方法基本同实施例7，不同之处仅在于，本实施例采用直径为8μm的聚苯乙烯微球作为模板，具体的等离子体刻蚀的参数不同。
实施例9
一种抗炎症结构，包括高分子基底和生物相容性层，高分子基底的材质为光刻胶SU8，生物相容性层的材质为金属铂，高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，生物相容性层完全覆盖微纳米锥形的外周面，且完全覆盖高分子基底的一侧表面上未设置微纳米锥形的区域，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为 5.18μm，底部直径为3.4μm，间距为1.6μm，生物相容性层的厚度为150nm。
该抗炎症结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)取一单晶硅片，对其表面进行清洗，以除去表面有机及无机杂质；具体清洗步骤为：依次在丙酮、无水乙醇和超纯水中超声清洗，氮气吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附带的水蒸气；
(2)对硅片进行氧等离子体处理使其表面亲水，使用旋涂仪在基底表面均匀地旋涂SU8，95℃前烘10min，紫外曝光，之后95℃后烘5min使其交联，通过调节转速得到一定厚度的SU8薄膜；
(3)对SU8薄膜进行氧等离子体处理使其表面亲水，然后通过界面法在其上面组装一层六方紧密堆积的直径为5μm聚苯乙烯微球阵列；
(4)以聚苯乙烯微球为模板，采用等离子刻蚀机对组装有聚苯乙烯微球阵列的SU8进行刻蚀，刻蚀过程中聚苯乙烯微球尺寸逐渐减小，在其下方的SU8不断被刻蚀，最终在SU8基底上形成微纳米锥形阵列结构；
(5)通过磁控溅射镀膜的方法在具有微纳米锥形阵列结构的SU8基底表面溅射一层金属铂，厚度为150nm，从而得到高度为5.18μm，底部直径为3.4μm，间距为1.6μm的抗炎症结构，如图7所示。
实施例10
一种抗炎症结构，包括高分子基底和生物相容性层，高分子基底的材质为聚对二甲苯，生物相容性层的材质为金，高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，生物相容性层完全覆盖微纳米锥形的外周面，且完全覆盖高分子基底的一侧表面上未设置微纳米锥形的区域，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为20μm，底部直径为15m，间距为15μm，生物相容性层的厚度为100nm。
该抗炎症结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)取一单晶硅片，对其表面进行清洗，以除去表面有机及无机杂质；具体清洗步骤为：依次在丙酮、无水乙醇和超纯水中超声清洗，氮气吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附带的水蒸气；
(2)采用化学气相沉积制备的方法在硅片上沉积聚对二甲苯薄膜，其原料为二甲苯环二聚体，在150℃下气化，650℃下热分解，20℃下沉积；
(3)对聚对二甲苯薄膜进行氧等离子体处理使其表面亲水，然后通过界面法在其上面组装一层六方紧密堆积的直径为30μm的聚苯乙烯球阵列；
(4)以聚苯乙烯微球为模板，采用等离子刻蚀机对组装有聚苯乙烯微球阵列的柔性基底进行刻蚀，刻蚀过程中聚苯乙烯微球尺寸逐渐减小，在其下方的聚对二甲苯不断被刻蚀，最终使聚对二甲苯基底上形成微纳米锥形阵列结构；
(5)通过磁控溅射镀膜的方法在形成有微纳米锥形阵列结构的聚对二甲苯基底表面溅射一层金，金层的厚度为100nm，从而得到高度为20μm，底部直径为 15μm，间距为15μm的抗炎症结构。
实施例11
一种抗炎症结构，包括高分子基底和生物相容性层，高分子基底的材质为聚二甲基硅氧烷，生物相容性层的材质为金，高分子基底的一侧表面具有微纳米锥形阵列结构，生物相容性层完全覆盖微纳米锥形的外周面，且完全覆盖高分子基底的一侧表面上未设置微纳米锥形的区域，锥形的外周面为粗糙面，锥形高度为 45μm，底部直径为25m，间距为65μm，生物相容性层的厚度为200nm。
该抗炎症结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)首先通过光刻与刻蚀相结合的方法制备硅的微纳米锥形阵列模板，锥形高度为45μm，底部直径为25μm，间距为65μm，然后进行氟化处理；
(2)按10:1的比例配置聚二甲基硅氧烷溶液，剧烈搅拌，抽真空至没有气泡，然后将其浇注到处理过的硅基底上，60℃加热3h，然后将其从硅模板上揭下便可以得到聚二甲基硅氧烷的反锥形阵列结构；
(3)对聚二甲基硅氧烷的反锥形阵列进行疏水化处理，然后将聚二甲基硅氧烷溶液浇注到聚二甲基硅氧烷的反锥形阵列结构上，60℃加热3h，然后将其从模板上揭下便可以得到聚二甲基硅氧烷的微纳米锥形阵列结构；
(4)通过磁控溅射镀膜的方法在形成有微纳米锥形阵列结构的聚二甲基硅氧烷基底表面溅射一层金属金，金属层的厚度为200nm，从而得到高度为45μm，底部直径为25μm，间距为65μm的抗炎症结构。
实施例12
本实施例12的抗炎症结构与实施例11的区别仅在于，锥形高度为18μm，底部直径为22μm，间距为45μm，金属层的厚度为300nm。
效果实施例
实验组：将实施例1制备的抗炎症结构放置在细胞培养液内，细胞培养液中含有胶质细胞又有神经元细胞。
对照组：与实验组的区别仅在于是用聚乳酸薄膜代替抗炎症结构置于细胞培养液中，其余设置相同。
放置一段时间后，发现实施例1制备的抗炎症结构中的微纳米锥形上呈现的是神经元细胞，同时神经元细胞之间形成了高度互联的神经元网络，如图8所示。而对照组的聚乳酸薄膜上既有胶质细胞又有神经元细胞，如图9所示。星型胶质细胞将涂层与细胞分离，阻碍涂层与生物界面间的信号传递，从而引起炎症，因此抑制胶质细胞就能够抑制炎症。而抗炎症结构具有抗胶质特性，并且神经元细胞较对照组更为密集，呈现有序扩展，神经突津津缠绕着周期性排列的锥性，形成高度互联的神经元网络，因此，抗炎症结构与神经元细胞具有良好的细胞相容性，有利于其高度互联的神经元网络的形成，可以看出该抗炎症结构具有抗炎效果。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
